CMOS integrated circuits; Field effect transistors; Noise; Program processors; Silicon; Tunneling;
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机译:器件参数变化对III-V同质结和异质结隧道FET性能的影响研究
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机译:使用III-V隧道FETS实现高效设计
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机译:具有T形栅极的高性能Si / SiGe异质结隧穿FET的设计
机译:使用栅极 - 漏极潜水潜水局部减少III-V垂直纳米线隧道FET中的Ampolar断开状态漏电流