机译:喷射气相沉积氮化物处理及其在先进CMOS器件中的应用,可减少栅极泄漏电流和硼渗透
机译:在0.35-0.13 / spl mu / m技术的窄通道CMOS器件中,通道长度对通道宽度的依赖性
机译:STI引起的机械应力对深亚微米CMOS器件泄漏电流的影响
机译:新观察到短沟道长度低至50nm甚至更高的先进CMOS器件中的异常泄漏电流
机译:纳米栅极长度部分耗尽硅-NON-insulator CMOS器件和电路中浮体效应的分析,建模和控制
机译:接触塞沉积条件对多级CMOS逻辑互连器件中结漏电流和接触电阻的影响
机译:考虑参数变化影响的纳米级CmOs器件总漏电流建模与估算
机译:开发用于超低1 / f噪声和低漏电流应用的先进电子材料和器件