Accuracy; Computer architecture; Microprocessors; Mirrors; Phase change materials; Phase change memory; Resistance; logarithmic ADC; multi-level cell; phase-change memory; resistance-to-current converter (R2I);
机译:用于MLC PCM读数的低功耗TDC配置对数电阻传感器
机译:45纳米复位状态相变存储设备中的$ hbox {1} / f $噪声:表征,对存储器读出操作的影响和缩放角度
机译:用于基于ISFET的数字读出系统的1V,330nW,6位电流模式对数循环ADC
机译:两个步骤5b对数ADC,最小步长为0.1%的全尺寸为MLC相位变化存储器读数
机译:用于生物医学应用的6位,两步,逐次逼近对数aDC