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Ultrafast optical response and transient population inversion of photoexcited Ge/SiGe quantum wells

机译:光透镜GE / SiGe量子阱的超快光学响应和瞬态人口反转

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摘要

The ultrafast carrier dynamics of Ge/SiGe quantum wells on Si substrate are investigated by pump-probe spectroscopy. Pronounced nonequilibrium effects in the relaxation dynamics and transient gain are observed and analyzed using a microscopic many-body theory.
机译:通过泵探针光谱研究了Si衬底上Ge / SiGe量子孔的超快载体动力学。使用微观的许多机构理论观察和分析释放动态和瞬态增益中的发音不足的效果。

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