首页> 外文会议>Conference on Lasers and Electro-Optics >Properties of InAs quantum dots in nanoimprint lithography patterned GaAs pits
【24h】

Properties of InAs quantum dots in nanoimprint lithography patterned GaAs pits

机译:纳米压印光刻图案化的GaAs凹坑中InAs量子点的性质

获取原文

摘要

We report on the structural and optical properties of InAs quantum dots fabricated into nanoimprint lithography patterned GaAs pits. The size-dependent properties of single site-controlled quantum dots and their integration into optical microcavities are presented.
机译:我们报告的InAs量子点的结构和光学性能制成纳米压印光刻图案化的GaAs凹坑。介绍了单个位置控制的量子点的尺寸相关性质及其集成到光学微腔中。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号