Generation of multi-Gigabit/s OFDM signals at W-band with a Graphene FET MMIC mixer

机译：用石墨烯FET MMIC混合器在W波段产生多千兆位信号

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This paper presents multi-Gigabit/s Orthogonal Frequency Division Multiplexing (OFDM) signal generation by using a graphene field effect transistor based resistive mixer at w-band. The OFDM signals consist of 64 subcarriers each carrying a quad-rature-phase-shift-keying (QPSK) symbols. The results show that a bit error rate of 10~(-4) is achievable for 8 Gbps data rate.

机译：本文通过在W波段下使用基于石墨烯场效应晶体管的电阻混频器呈现多千兆位/秒频分复用（OFDM）信号。 OFDM信号由64个子载波组成，每个子载波携带四级渐变相移键控（QPSK）符号。结果表明，8 Gbps数据速率可实现10〜（-4）的误码率。

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来源
《IEEE MTT-S International Microwave Symposium》|2017年|687-1374p|共3页
会议地点
作者
Omid Habibpour; Dhecha Nopchinda; Zhongxia Simon He; Niklas Rorsman; Herbert Zirath;
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作者单位

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会议组织
原文格式 PDF
正文语种
中图分类 TN015-53;
关键词
Graphene FET; Resistive mixer; MMIC; OFDM; W-band; High data rate communication;

机译：石墨烯FET;电阻混合器;MMIC;OFDM;W波段;高数据速率通信;

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