0.5-V 5T-cell SRAM array; multi-divided open bit-lines; boosted word-line; and mid-point sensing;
机译:具有升压字电压的0.5V 25nm 6-T单元,用于1-Gb SRAM
机译:减少5t SRAM细胞Nbti效应的设计技术
机译:基于碳纳米管的CMOS SRAM:1 kbit 6T SRAM阵列和10T SRAM单元
机译:具有中点感应多功率5T单元的0.5V亚纳秒Open-BL SRAM阵列
机译:SRAM阵列的电源高效设计以及VLSI电路中的信号和配电网络的优化设计
机译:鼠5T多发性骨髓瘤细胞在体内和体外诱导血管生成
机译:0.5V 350-PS 28-NM FD-SOI SRAM阵列,带动态电源5T电池