65-nm Process; SOTB; device-simulations;
机译:具有背栅偏置的65nm薄盒硅(SOTB)上基于低功耗浮点自适应CORDIC的FFT旋转因子
机译:通过基于蒙特卡洛的模拟分析取决于BOX区域厚度和体偏置的65和28 nm FD-SOI工艺中的软错误率
机译:在运行Linux和并行化API的软错误下分析容错方法对ARM处理器的影响
机译:体偏置对65nm工艺中薄BOX结构的块体和硅的软错误容忍度的影响
机译:溶液可加工聚合物薄膜晶体管和小分子本体异质结太阳能电池中的结构-加工关系。
机译:通过块状纳米结构金属中的SPD加工实现工程界面结构和热稳定性
机译:高级微处理器和图形处理器的超薄散装硅薄,在20nm技术中制造
机译:用于提高sOI技术软错误容忍度的体系效应