CMP; Simultaneous Double-sided Polishing; Processing Atmosphere; SiC; Removal Rate; KMnO4; Si-face and C-face;
机译:使用浆液中的催化剂纳米粒子对轴向Si面SiC晶片进行化学机械平坦化(CMP)
机译:CMP 6H-SiC(0001)单晶晶片的加工模型研究
机译:用电子显微镜分析4H-SiC晶片CMP过程中产生的潜在划痕的晶体缺陷
机译:强氧化浆料和加工气氛对SiC晶片双面CMP的影响
机译:加工条件和测试气氛对储能应用钙铜钛陶瓷电性能的影响
机译:高温下高温氧化气氛中应力-断裂和循环载荷对纤维增强陶瓷基复合材料应变响应的协同效应
机译:CMP中晶圆与焊盘之间的浆液流动的计算研究:无凹槽,圆形凹槽和径向凹槽的情况(流体工程)