Ar/O2 Ratio; Substrate Temperature; SiO2 Thin Films; Super Hydrophilicity;
机译:N_2:(N_2 + Ar)的流量比和衬底温度对反应性直流磁控溅射制备氮化锆膜性能的影响
机译:通过RF反应磁控溅射在不同的基板温度和O-2通量下制备的F掺杂的SnO或SnO2膜的结构,电气和光学性质
机译:脉冲直流反应磁控溅射未加热基板上亲水性TiO_2薄膜的制备与表征
机译:氩气/氧气流量比对直流磁控溅射制备TiO2薄膜光催化效率的影响。
机译:射频反应磁控溅射在低温下沉积在硅上的压电氮化铝薄膜的声波器件特性
机译:使用不同Ar / O2流量比制备的RF溅射RuO2薄膜的pH传感特性
机译:通过脉冲DC反应磁控溅射制备的加热底物中亲水性TiO2膜的制备与表征