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【24h】

First demonstration of 4-bit, 40-Gb/s optical RAM chip using integrated photonic crystal nanocavities

机译:使用集成光子晶体纳米盖的第一次演示4位,40-GB / S光RAM芯片

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摘要

An all-optical random-access memory with an ultralow power consumption of 30 nW was achieved by using a photonic crystal nanocavity. Integrated o-RAM chip operation for 4-bit, 40-Gb/s signal was also demonstrated for the first time.
机译:通过使用光子晶体纳米盖度实现具有30nW的超级功耗的全光随机存取存储器。对于4位,40-GB / S信号的集成O-RAM芯片操作也是第一次进行的。

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