A Novel FN Erasable Undercut Device Containing Two Physically Separated Nitride Storage Nodes Per Cell Suitable for Advanced NOR Flash Memory Technology

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• 来源
  《2011 3rd IEEE International Memory Workshop》|2011年|p.1-2|共2页
• 会议地点
• 作者

  Chung S.-Y.; Chan S.; Chang K.-T.; Davis B.; Kathawala G.; Ko K.; Lee S.-C.; Liu Z.; Lin C.; Ohtsuka K.; Park S.-H.; Thurgate T.; Xue L.; Randolph M.; Shiraiwa H.; Sun Y.; Chang C.;

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