垂直磁化CoFeB/MgO細線における電流誘起磁壁移動

摘要

電流誘起磁壁移動を利用したデバイスとしてレーストラックメモリ、MRAM、 ロジック回路などが提案さ れている。これらを実用化する上では磁壁移動に必要な電流値を低減することが重要であるが、これまでの 研究から磁壁移動層に垂直磁気異方性を有する材料を用いることで小さな書き込み電流を実現できることが 分かっている。ところでこれらのデバイスでは、記憶された情報を読み出す際には別途設けられたMTJにお けるTMR効果が用いられ、より安定した動作のためにはなるべく高いTMR比が得られることが好ましい。