BiFeO_3スパッタ膜の電気特性へのBi欠損の影響

摘要

室温で強誘電性と反強磁性を持つマルチフエロイック材料BiFe_O3 (BFO)薄膜については極めて多数の報告 があり、その作製においては蒸気圧の低いBiの欠損を防ぐため、Bi過剰のソースを用いることが多い。し かし、Bi欠損が膜の電気特性にどのように影響するか議論している例は少ない。本研究では、膜中のBi量 を変化させるためBi過剰量を変えたターゲットを用いてBFOスパッタ膜を作製し、構造的変化および電気特 性をBi欠損との関連から議論した。