Ptスぺーサ層によるPt/Co/α-Cr_2O_3薄膜の垂直交換バイアスの変化

摘要

我々は，これまでに，スパッタリング法によって作製したPt/Co/α-Cr_2O_3薄膜において，約0.3 erg/cm~2の高 い垂直交換バイアスが発現すること，垂直交換バイアスは，その発現温度で急激に発現することを見出した. 観測された特異な温度依存性は，Co/α-Cr_2O_3界面での界面結合エネルギーとα-Cr_2O_3層の磁気異方性エネ ルギ一との競合により説明できる.このメカニズムの下では，交換バイアスの発現温度の上昇には， Co/α-Cr_2O_3界面での界面結合エネルギーの制御，α-Cr_2O_3層の磁気異方性エネルギーの上昇のいずれかが必要 となる.本研究では，Co/α-Cr_2O_3界面にPtスぺーサ層を挿入することによる，Co/α-Cr_2O_3界面での界面結合 エネルギーの制御について検討した.特に，Ptスぺーサ層の層厚として，0.2-1.2 nmの超薄膜領域を対象と して研究を行った.