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Impact of Reference Voltage on the ELDRS Characteristics of the LM4050 Shunt Voltage Reference

机译:参考电压对LM4050分流参考电压的ELDRS特性的影响

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摘要

Two different reference voltage options (2.5V and 5.0V) of National Semiconductor's LM4050WGxxRLQV shunt voltage reference were put through Total Ionizing Dose (TID) testing at High Dose Rate (HDR) and Low Dose Rate (LDR) with different biasing conditions during irradiation and showed different sensitivities to the different dose rates and bias conditions. Another product, DS16F95WxFQMLV, that uses the same wafer fabrication process had a different TID response.
机译:国家半导体的LM4050WGXXRLQV分流电压参考的两个不同的参考电压选项(2.5V和5.0V)通过高剂量率(HDR)和低剂量率(LDR)进行全电离剂量(TID)测试,在照射期间具有不同的偏置条件显示出不同剂量率和偏置条件的不同敏感性。使用相同的晶片制造过程的另一种产品DS16F95WXFQMLV具有不同的TID响应。

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