BTI; CMOS; High-K dielectric; Reliability; SILC; SoC; TDDB; breakdown; metal gate;
机译:电应力对Au / Pb(Zr
机译:利用分子束沉积的Al
机译:HfO
机译:用2
机译:电荷陷阱晶体管(CTT):将逻辑晶体管转换为高级高k /金属门CMOS技术的嵌入式非易失性存储器
机译:栅堆叠结构和工艺缺陷对32 nm工艺节点PMOSFET中NBTI可靠性的高k介电依赖性的影响
机译:具有3-D Tri-Gate和高k /金属栅极的22nm SoC平台技术,针对超低功耗,高性能和高密度SoC应用进行了优化