机译:全息光子晶体的优化设计以提高GaN LED的光提取效率
机译:使用p侧深孔光子晶体提高GaN基薄膜倒装芯片LED的垂直光提取效率
机译:通过Al $ _ {bm x} $ Ga $ _ {{bf 1} {bm-} {bm x}} $ N限制层和嵌入式光子晶体提高GaN基LED的光提取效率
机译:通过双光束曝光方法来改善LED提取效率的光子晶体的全息制造
机译:用于全向光子晶体制造的双光束全息光刻方法的理论研究。
机译:聚苯乙烯纳米光学光刻法制备的光子晶体结构P-GAN纳米棒的研究提高了INGAN / GAN绿色发光二极管光提取效率
机译:使用多种曝光全息法制备光子拟拟机的制造