机译:温度控制水蒸气处理法从三(三乙氨基)硅烷和臭氧中沉积SiO_2的原子层
机译:使用三(二甲基氨基)硅烷(TDMAS)和臭氧通过原子层沉积法生长的高质量SiO_2薄膜
机译:使用三(二甲基氨基)硅烷和等离子体激发的水蒸气的SiO_2非加热原子层沉积
机译:使用温度控制的水蒸气处理,使用TRIS(二甲基氨基)硅烷(TDMA)和臭氧的低温原子层沉积SiO_2
机译:通过臭氧化,超声处理,臭氧化/过氧化氢,臭氧化/超声处理和超声/过氧化氢处理含布洛芬的工业用水
机译:温度控制水蒸气退火调节丝材料结构
机译:由四(二乙氨基)硅烷和臭氧化学气相沉积制备的二氧化硅薄膜
机译:作为第二次saGE III臭氧损失和验证实验(sOLVE-2)的一部分,对流层上层和下层平流层的水蒸气,臭氧和温度的气球探测