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A Novel Program and Read Architecture for Contact-Less Virtual Ground NOR Flash Memory for High Density Application

机译：用于高密度应用的无触点虚拟地面NOR闪存的新型程序和读取架构

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We have successfully developed multilevel (MLC) contact-less virtual ground array (VGA-NOR) flash memory. Sequential program from the source side edge cell of each segment and 32cells unit program with data buffer enable to cancel the Vt interference. Sen

机译：我们已经成功开发了多层（MLC）非接触式虚拟接地阵列（VGA-NOR）闪存。来自每个段的源侧边缘单元的顺序程序和带有数据缓冲区的32单元单元程序可以消除Vt干扰。森

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来源
《VLSI Circuits, 2006 IEEE Symposium on》|2006年|P.116-117|共2页
会议地点
作者
N. Ito; Y. Yamauchi; N. Ueda; K. Yamamoto; Y. Sugita; T. Mineyama; A. Ishihama; K. Moritani;
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作者单位

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会议组织
原文格式 PDF
正文语种
中图分类工业技术;
关键词
NOR circuits; buffer circuits; flash memories; sequential circuits; data buffer; multilevel contact-less flash memory; program architecture; read architecture; sense amplifier assist equalize-sensing; sequential program; virtual ground NOR flash memory;

机译：NOR电路;缓冲电路;闪存;时序电路;数据缓冲器;多级非接触式闪存;程序架构;读取架构;传感放大器辅助均衡感测;顺序程序;虚拟接地NOR闪存;

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