An analytical method to determine MOSFET''s high frequency noise parameters from 50-/spl Omega/ noise figure measurements

机译：一种基于50- / spl Omega /噪声系数测量来确定MOSFET高频噪声参数的分析方法

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An analytical method, along with closed-form solutions, for extracting MOSFET''s RF noise parameters is presented. This method extracts the minimum noise figure, NF/sub min/ equivalent noise resistance, R/sub n/, and optimum source admittance Y/sub opt/,

机译：提出了一种分析方法以及封闭形式的解决方案，用于提取MOSFET的RF噪声参数。此方法提取最小噪声系数，NF / sub min /等效噪声电阻，R / sub n /和最佳源导纳Y / sub opt /，

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来源
《Radio Frequency Integrated Circuits Symposium (RFIC), 2006 IEEE》|2006年|P.4|共1页
会议地点
作者
Asgaran; S.; Deen; M.J.; Chih-Hung Chen;
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作者单位

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会议组织
原文格式 PDF
正文语种
中图分类工业技术;
关键词
MOSFET; electric noise measurement; semiconductor device measurement; semiconductor device noise; 50 ohm; MOSFET; RF noise parameters; equivalent noise resistance; high frequency noise parameters; minimum noise figure; noise figure measurements; optimum source admi;

机译：MOSFET;电噪声测量;半导体器件测量;半导体器件噪声; 50欧姆; MOSFET; RF噪声参数;等效噪声电阻;高频噪声参数;最小噪声系数;噪声系数测量;最佳源噪声;

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