integrated circuit interconnections; plasma CVD; dielectric materials; silicon compounds; copper; PECVD; low-k SiOC; Cu interconnect; porous low-k dielectrics; high-modulus porous MSQ; low-k void formation; effective dielectric constant; void suppression; high permeability film; damascene etching; SiOC cap layer; FIB analysis; electrical characteristics; 200 nm; SiOC; Cu;
机译:使用多层铜布线和混合Low-k结构(多孔PAr /多孔SiOC(k = 2.3 / 2.3))进行粘合研究并提高粘合能
机译:使用多层铜布线和混合Low-k结构(多孔PAr /多孔SiOC(k = 2.3 / 2.3))进行粘合研究并提高粘合能
机译:使用多层铜线和杂交低k结构改善粘合性和粘合能量(多孔 - PAR /多孔SIOC(k = 2.3 / 2.3))
机译:PECVD低K SIOC(k = 2.8)作为使用多孔低k电介质的200nm间距Cu互连的帽层(k = 2.3)
机译:用于高级互连的多孔低k电介质的机械可靠性:多孔低k电介质的不稳定性机理及其通过惰性等离子体引发的骨架结构再聚合的介导研究。
机译:用于进一步缩小超大型集成器件-Cu互连的等离子增强化学气相沉积SiCH膜的低k覆盖层的材料设计
机译:利用角度分辨光散射在IC器件上的Cu / Low-K互连上具有角度分辨光散射的低k电介质的拉曼信号的增强