机译:高密度CMOS SRAM的故障分析:使用实际的缺陷建模和I / sub DDQ /测试
机译:使用CO< CE:INF LOC =“POST”> 2& / Ce:2& / ce:2& ce:im:im loc =“post”> 2& / ce:2& / ce:2& / ce >具有现实地质的存储站点:应用于评估早期泄漏检测能力
机译:使用CO
机译:使用多个I / sub DDQ /测量值,在实际泄漏模型下检测缺陷
机译:硬件结果证明了使用基于多个供应板的IDDT测量进行缺陷检测和故障定位的有效性。
机译:额窦对大脑活动度的影响通过现实的头部模型分析近红外光谱
机译:使用声学测量和缺陷尺寸的估计检测空气泄漏进入真空封装
机译:I(sub DDQ)测试用于最终的低功耗设计验证和缺陷检测