interface roughness; MOSFET; semiconductor device models; nanoelectronics; interface states; doping profiles; electric current; Green's function methods; electrodes; silicon-on-insulator; fluctuations; interface roughness simulation; nonequilibrium Green's functions; MOSFET scaling; dual-gate architectures; SOI substrates; on current; off current; DGMOSFET design; MOSFET geometry; doping profiles; fluctuation effects; random doping; interface effects; modified nanoMOS simulator; NEGF; rough interfaces; Si-SiO/sub 2/;
机译:利用非平衡格林函数精确处理纳米级DG MOSFET的界面粗糙度
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机译:使用非平衡格林函数的半导体激光仿真
机译:使用非平衡绿色函数模拟DGMOSFET中的界面粗糙度
机译:非平衡分子模拟的简单流体在流固界面和纳米级的流体行为。
机译:纳米材料中量子声子传输:将原子与非平衡绿色功能技术相结合
机译:用于建模金属 - 半导体界面的一般原子方法 使用密度泛函理论和非平衡格林函数