heterojunction bipolar transistors; indium compounds; III-V semiconductors; isolation technology; doping profiles; ion implantation; silicon; iron; electrodes; planar device isolation; InP based DHBT; mesa technology; etching; process planarity; integration levels; selective implantation; Fe implantation; InP collector-subcollector layers; selective Si implantation; isolated N++ subcollector; InP:Fe; InP:Si;
机译:480 GHz的InP / GaAsSb / InP DHBT中的f_ {max} $,具有新的基础隔离度mu-Airbridge设计
机译:f_T = 300 GHz和最大最大振荡频率的InP / GaAsSb / InP DHBT:缩放对器件性能的影响
机译:InP发射极和GaAs_(1-y)Sb_y之间应变的GaAs隔离层对MOCVD生长的InP / GaAs_(1-y)Sb_y / InP DHBTs的结构性能和电学特性的影响
机译:基于INP的DHBT的平面装置隔离
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:在工作速度超过10 Gbps的导电基板上制造平面型顶部照明的基于InP的雪崩光电探测器并进行表征
机译:毫米波频率的多指Inp DHBT设备的大信号建模
机译:采用Inp台面DHBT技术,在176 GHz时具有7 dB增益的共基极放大器