EPROM; nanoelectronics; nanostructured materials; integrated memory circuits; integrated circuit design; integrated circuit reliability; integrated circuit testing; low-power electronics; operational comparison; reliability comparison; discrete-storage n;
机译:离散存储非易失性存储器的比较:混合法制造金纳米晶非易失性存储器的优势
机译:Ni纳米晶体的物理化学结构对嵌入Ni纳米晶体的小分子非易失性存储单元非易失性存储特性的影响
机译:多层硅纳米晶非易失性存储器的性能和可靠性
机译:离散储存非易失性存储器的操作和可靠性比较:单层金属纳米晶体的优点
机译:具有工程纳米晶体浮栅的新型非易失性存储器。
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机译:具有低泄漏AI2O3阻挡电介质的pt单层和双层NC的金属纳米晶体存储器
机译:重离子暴露对纳米晶非挥发性记忆的影响