Interactive OPC simulator for memory devices

机译：用于存储设备的交互式OPC模拟器

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Abstract: The practical OPC simulation system suitable for memory devices is developed with a simple threshold model considering acid diffusion in chemically amplified resists. And the resist parameter extraction method is also presented. The simulation performance is within 0.01 micrometer CD error, and within a few second computation time for 4 micrometer$+2$/ area memory cell on a EWS. !5

机译：摘要：考虑到酸在化学放大抗蚀剂中的扩散，使用简单的阈值模型开发了适用于存储设备的实用OPC仿真系统。并提出了抗蚀剂参数的提取方法。仿真性能在0.01微米的CD误差范围内，并且在EWS上4微米2 + 2 /面积存储单元的计算时间不到几秒钟。！5

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来源
《Conference on photomask and X-Ray mask technology》|1999年|p.233-240|共8页
会议地点
作者
Hirotomo Inui; NEC Corp.; Sagamihara; Kanagawa; Japan; Haruo Iwasaki; NEC Corp.; Kanagawa; Japan; Toshiyuki Ohta; NEC Corp.; Kawasaki Kanagawa; Japan; Hiroyoshi Tanabe; NEC Corp.; Sagamihara Kanagawa; Japan.;
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正文语种
中图分类物理学;
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