机译:采用24nm CMOS技术的151mm 64Gb 2位/单元NAND闪存
机译:适用于20纳米以下NAND闪存技术的混合浮栅单元
机译:采用56 nm技术的16 Gb 3位每单元(X3)NAND闪存,写入速率为8 MB / s
机译:适用于高密度和低压操作闪存的新型栅极偏移NAND电池(GOC-NAND)技术
机译:使用NAND闪存的硬件安全原语
机译:CMOS兼容的铁电NAND闪存用于高密度低功耗和高速三维内存
机译:用37nm节点技术建模NaND闪存单元钨位线重新溅射感应桥
机译:高度缩放,高密度,商用,非易失性NaND闪存的辐射测试 - 更新2012。