机译:先进的源极/漏极工程技术,用于在100 nm以下的SOI CMOS中使用激光退火和预非晶化注入形成盒形超浅结
机译:浅结源极/漏极扩展纳米CMOS中栅极感应的漏极泄漏的结深度依赖关系
机译:浅掺杂扩展肖特基源/漏SOI MOSFET的CMOS应用
机译:使用锑和铟预非晶化方案的浅源/漏扩展层形成,用于0.18至0.13um CMOS技术
机译:用于100nm CMOS的浅沟槽隔离和凸起的源极/漏极的设计,制造和表征。
机译:具有嵌入式校准方案的动态pH传感器采用先进的CMOS FinFET技术
机译:0.18-μmCMOS技术中的生物传感器-CMOS平台和集成读出电路,用于癌症生物标志物检测