机译:局部Si1-XGEx应力源对高k金属栅极PMOSFET宽度依赖性的材料格子取向效应
机译:对P / sup +/-栅PMOS器件中非晶硅栅抑制硼渗透的综合研究
机译:多晶硅(1-x)Ge_x栅极材料中的Ge含量对PMOS器件中隧穿势垒的影响
机译:可行性研究,以确定使用TIN / W和Si1-XGEx作为Sub-0.1-UM门长PMOS器件的替代栅极材料的适用性
机译:浮栅注入剂量的表征及其对PMOS电可擦单元(PEEC)存储器阵列的影响。
机译:研究医疗器械生物膜的另一种方法:可行性研究
机译:PRM216业务可行性研究可以为上市后的观察研究(PMOS)带来什么价值?在东欧进行的评估现实世界中丙型肝炎病毒疾病/患者管理的可行性研究的示例
机译:确定骨料形状的替代装置的比较。