机译:(InGa)As / GaAs QW(λ大约1.2μm)刻面涂层边缘发射二极管激光器的特性
机译:20 W CW表面发射0.8μm GaAs / GaAlAs激光二极管
机译:无衬底单模垂直腔面发射GaAs / GaAlAs激光二极管
机译:加热GaAIAS / GaAs边缘发射激光二极管的前剖面
机译:含铝III-V半导体的自然氧化,可应用于边缘发射和表面发射激光器以及发光二极管的稳定化。
机译:GaAsBi / GaAs量子阱二极管激光器中的光学增益
机译:InGaas / Inp边缘发射激光二极管与硅基板上的波导同轴凹陷集成:IC上激光集成的完整解决方案
机译:具有干蚀刻垂直面和抛物面偏转镜的表面发射alGaas二极管激光器的高量子效率单片阵列。 (重新公布新的可用性信息)