机译:通过使用直接异质外延横向过生长技术对GaN /蓝宝石界面进行选择性湿法刻蚀来增强GaN基发光二极管的发光
机译:晶格不匹配对以面为中心的立方-以体为中心的立方界面的原子结构和缺陷能量的影响
机译:MBE原位生长Si_3N_4立方GaN MIS结构中的低界面俘获电荷密度
机译:立方氮化镓的异质外延:界面结构的影响
机译:用于节能半导体器件的Si / GaN异质结构的GaN和界面工程的表面工程
机译:用于可变形发光二极管的GaN微棒异质结构的远程异质外延和晶圆回收
机译:通过重界面AlN /β-Si3N4(0001)双缓冲结构实现的Si(111)上的GaN异质外延