机译:基于单芯片44 GHz InP的HEMT低噪声放大器的低温冷却性能
机译:低温36-45GHz InP低噪声放大器MMIC,通过消除寄生平行板模式提高了噪声温度
机译:通过消除寄生平行板模式提高噪声温度的低温36a×45 GHz InP低噪声放大器MMIC
机译:低温冷却的94-GHz INP MMIC放大器和辐射计的噪声性能
机译:InP HBT功率放大器MMIC在220GHz时可达到0.4W
机译:宽带低温微波低噪声放大器
机译:共面技术中基于InP的94 GHz低噪声放大器
机译:0.1um Inp HEmT器件和用于从x波段到W波段的低温低噪声放大器的mmIC