机译:通过在N_2环境中使用TBA和TBP进行QWIP应用的InGaAsP / InGaAs多步量子阱结构的MOCVD生长
机译:在N_2环境中使用叔丁基ar(TBA)和叔丁基膦(TBP)生长InP和InGaAs的金属有机气相外延(MOVPE)生长
机译:InGaAsP / GaInP / AlGaInP 0.8μmQW激光器,采用TBP和TBA通过MOCVD进行生长
机译:使用TBA和TBP选择性Movpe生长InGaAsp和IngaAs
机译:被动锁模InGaAsP / InP半导体激光器的高工作温度
机译:通过在氧化物腔中选择性生长将InGaAs FinFET直接集成在硅上
机译:GaAs衬底上InGaAsP薄膜MOVPE生长的不溶性研究