机译:分子束外延在InP衬底上生长的In_(0.53)Ga_(0.47)As_(0.99)N_(0.01)/ GaAs_(0.5)Sb_(0.5)Ⅱ型量子阱发光二极管的电致发光
机译:GaAs 0.5Sb_0.5和kIn 0.53Ga_0.47As / GaAs 0.5Sb_0.5的II型单异质结构与分子束外延生长的InP k衬底晶格匹配
机译:In_0.53Ga_0.47As / GaAs_0.5Sb_0.5 / In_0.52Al_0.48As与分子束外延生长的InP晶格匹配的非对称II型量子阱结构
机译:/亚0.47 / ga / sub 0.53 /作为INP和GaAs和Si基板上的化学束外延生长的隧道交界处的高性能
机译:气源分子束外延生长的InP / InGaAs异质结双极晶体管和场效应晶体管。
机译:通过分子束外延生长在Si(111)衬底上生长的Au催化的GaAs纳米线的电和光学性质
机译:使用通过分子束外延生长的完全耗尽的p + -Ga0.47In0.53As层在n-Ga0.47In0.53As上形成准肖特基势垒二极管
机译:通过分子束外延在(775)B Inp衬底上生长的大量改进的自组织In(0.53)Ga(0.47)as量子线激光器