机译:使用高选择性衬底去除刻蚀工艺隔离在GaAs衬底上变质生长的GaSb膜
机译:使用高选择性衬底去除刻蚀工艺隔离在GaAs衬底上变质生长的GaSb膜
机译:薄GaAs拉伸应变层对LP-MOVPE生长的InP(001)衬底上InAs量子点的影响
机译:在选择性蚀刻基板上通过LP-MOVPE生长的集成高速引脚二极管
机译:基于外延锗层的金属氧化物半导体器件,通过超高真空化学气相沉积直接在硅衬底上选择性生长
机译:NCCL中不同通用粘合剂在蚀刻和冲洗,选择性蚀刻和自蚀刻应用模式下的二十四个月临床表现–一项随机对照临床试验
机译:通过在受控机械应力下生长的薄膜蚀刻INP和GaAs基板中InP和GaAs基材诱导的菌株的光致发光映射