机译:自对准蚀刻多晶硅npn双极晶体管中的热载流子降解和氧化物电荷积聚
机译:使用自对准外延SiGe基双极晶体管在液氮温度下30ps以下的ECL电路工作
机译:亚微米Si和Si-Ge外延基双多晶硅自对准双极晶体管
机译:自对准双极NPN晶体管,具有60nm外延底座
机译:基于InP的NPN和PNP异质结双极晶体管的设计,技术和特性,可增强高频功率放大。
机译:通过自对准双倍外延横向过生长制造的电驱动高效的基于GaN的三维GaN发光二极管
机译:使用氮氧化物电介质最大化自对准双多晶硅siGe双极晶体管中选择性外延基层的生长速率