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Electron Devices Meeting, 1989. IEDM '89. Technical Digest., International
Electron Devices Meeting, 1989. IEDM '89. Technical Digest., International
召开年:
1989
召开地:
Washington, DC
出版时间:
-
会议文集:
-
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1.
Micromechanical logic
机译:
微机械逻辑
作者:
Bergstrom P.
;
Polla D.
;
Tamagawa T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1989. IEDM '89. Technical Digest., International》
|
1989年
2.
MOCVD growth of optoelectronic integrated circuits
机译:
光电集成电路的MOCVD增长
作者:
Koren U.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1989. IEDM '89. Technical Digest., International》
|
1989年
3.
A 256 kbit SOI-full-CMOS-SRAM
机译:
256 kbit SOI全CMOS SRAM
作者:
Gotou H.
;
Sekiyama A.
;
Seki T.
;
Nagai S.
;
Suzuki N.
;
Hayasaka M.
;
Matsukawa Y.
;
Miyazima M.
;
Kobayashi Y.
;
Enomoto S.
;
Imaoka K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1989. IEDM '89. Technical Digest., International》
|
1989年
4.
Demonstration of an n-channel inversion mode GaAs MISFET
机译:
n沟道反转模式GaAs MISFET的演示
作者:
Fountain G.G.
;
Rudder R.A.
;
Hattangady S.V.
;
Markunas R.J.
;
Hutchby J.A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1989. IEDM '89. Technical Digest., International》
|
1989年
5.
Design and test of an 8 GHz, 500 kW, side-coupled gyrotron
机译:
8 GHz,500 kW侧耦合回旋管的设计和测试
作者:
Ives L.
;
Felch K.
;
Hess C.
;
Jory H.
;
Neilson J.
;
Pendleton R.
;
Shively J.
;
Chodorow M.
;
Feinstein J.
;
LaRue A.
;
Zitelli L.
;
Martorana R.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1989. IEDM '89. Technical Digest., International》
|
1989年
6.
A 27 GHz 20 ps PNP technology
机译:
27 GHz 20 ps PNP技术
作者:
Warnock J.
;
Lu P.
;
Chen T.
;
Toh K.Y.
;
Cressler J.D.
;
Jenkins K.A.
;
Tang D.D.
;
Burghartz J.
;
Sun J.Y.C.
;
Chuang C.T.
;
Li G.P.
;
Ning T.H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1989. IEDM '89. Technical Digest., International》
|
1989年
7.
A progress report on the Livermore Miniature Vacuum Tube Project
机译:
Livermore微型真空管项目的进度报告
作者:
Orvis W.J.
;
Ciarlo D.R.
;
McConaghy C.F.
;
Yee J.H.
;
Hee E.
;
Hunt C.
;
Trujillo J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1989. IEDM '89. Technical Digest., International》
|
1989年
8.
Stacked CMOS inverter with symmetric device performance
机译:
具有对称器件性能的堆叠式CMOS反相器
作者:
Zingg R.P.
;
Hofflinger B.
;
Neudeck G.W.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1989. IEDM '89. Technical Digest., International》
|
1989年
9.
Amorphous silicon edge detector for application to electronic eyes
机译:
用于电子眼的非晶硅边缘检测器
作者:
Wen-Jyh Sah
;
Si-Chen Lee
;
Jyh-Hong Chen
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1989. IEDM '89. Technical Digest., International》
|
1989年
10.
An ultrasensitive silicon pressure-based flowmeter
机译:
超灵敏硅压力流量计
作者:
Cho S.T.
;
Najafi K.
;
Lowman C.L.
;
Wise K.D.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1989. IEDM '89. Technical Digest., International》
|
1989年
11.
Analysis of latchup-induced photoemission
机译:
闩锁引起的光发射分析
作者:
Aoki T.
;
Yoshii A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1989. IEDM '89. Technical Digest., International》
|
1989年
12.
BASIC: an advanced high-performance bipolar process
机译:
BASIC:先进的高性能双极工艺
作者:
van der Velden J.
;
Dekker R.
;
van Es R.
;
Jansen S.
;
Koolen M.
;
Kranen P.
;
Maas H.
;
Pruijmboom A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1989. IEDM '89. Technical Digest., International》
|
1989年
13.
Bipolar device design for high density high performance application
机译:
用于高密度高性能应用的双极性器件设计
作者:
Hunt P.C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1989. IEDM '89. Technical Digest., International》
|
1989年
14.
Calculation and design of grids in Pierce guns
机译:
皮尔斯枪中的栅格计算与设计
作者:
True R.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1989. IEDM '89. Technical Digest., International》
|
1989年
15.
Circuit reliability simulator-oxide breakdown module
机译:
电路可靠性模拟器-氧化物击穿模块
作者:
Rosenbaum E.
;
Lee P.M.
;
Moazzami R.
;
Ko P.K.
;
Hu C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1989. IEDM '89. Technical Digest., International》
|
1989年
16.
Cyclotron autoresonance maser amplifiers and oscillators
机译:
回旋加速器自谐振微波激射器和振荡器
作者:
Wang Q.S.
;
Kou C.S.
;
Leou K.C.
;
Chong C.K.
;
McDermott D.B.
;
Lin A.T.
;
Luhmann N.C. Jr.
;
Caplan M.
;
Kulke B.
;
Salop A.
;
Chu K.R.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1989. IEDM '89. Technical Digest., International》
|
1989年
17.
Design aspects of MOS controlled thyristor elements
机译:
MOS控制晶闸管元件的设计方面
作者:
Bauer F.
;
Roggwiler P.
;
Aemmer A.
;
Fichtner W.
;
Vuilleumier R.
;
Moret J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1989. IEDM '89. Technical Digest., International》
|
1989年
18.
Determination of doping profile in sub-Debye-length region
机译:
亚德比长度区域中掺杂分布的确定
作者:
Toyabe T.
;
Matsuo H.
;
Yamamoto S.
;
Masuda H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1989. IEDM '89. Technical Digest., International》
|
1989年
19.
Efficiency improvements in a 12 GHz-50 W space TWT
机译:
在12 GHz-50 W空间TWT中提高效率
作者:
Safa H.
;
Pelletier A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1989. IEDM '89. Technical Digest., International》
|
1989年
20.
Experimental results on gridded arrays of field emission tips
机译:
场发射尖端栅格阵列的实验结果
作者:
Howell D.F.
;
Groves R.D.
;
Lee R.A.
;
Patel C.
;
Williams H.A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1989. IEDM '89. Technical Digest., International》
|
1989年
21.
Future BiCMOS technology for scaled supply voltage
机译:
未来BiCMOS技术可扩展电源电压
作者:
Watanabe A.
;
Nagano T.
;
Shukuri S.
;
Ikeda T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1989. IEDM '89. Technical Digest., International》
|
1989年
22.
Future trends and applications of ultra-clean technology
机译:
超净技术的未来趋势和应用
作者:
Ohmi T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1989. IEDM '89. Technical Digest., International》
|
1989年
23.
Future trends for TFT integrated circuits on glass substrates
机译:
玻璃基板上TFT集成电路的未来趋势
作者:
Ohshima H.
;
Morozumi S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1989. IEDM '89. Technical Digest., International》
|
1989年
24.
GaAs based opto-thyristor for pulsed power applications
机译:
基于GaAs的光电晶闸管,用于脉冲功率应用
作者:
Hur J.H.
;
Hadizad P.
;
Hummel S.G.
;
Dzurko K.M.
;
Dapkus P.D.
;
Gundersen M.A.
;
Fetterman H.R.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1989. IEDM '89. Technical Digest., International》
|
1989年
25.
Half-micron CMOS on ultra-thin silicon on insulator
机译:
绝缘体上超薄硅上的半微米CMOS
作者:
Woerlee P.H.
;
van Ommen A.H.
;
Lifka H.
;
Juffermans C.A.H.
;
Plaja L.
;
Klaassen F.M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1989. IEDM '89. Technical Digest., International》
|
1989年
26.
High reliability planar InGaAs avalanche photodiodes
机译:
高可靠性平面InGaAs雪崩光电二极管
作者:
Kobayashi M.
;
Shirai T.
;
Kaneda T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1989. IEDM '89. Technical Digest., International》
|
1989年
27.
Improved characteristics of MOSFETs on ultra thin SIMOX
机译:
超薄SIMOX上MOSFET的改进特性
作者:
Yamaguchi Y.
;
Inoue Y.
;
Ipposhi T.
;
Nishimura T.
;
Akasaka Y.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1989. IEDM '89. Technical Digest., International》
|
1989年
28.
Improved vertically integrated resonant tunneling diodes
机译:
改进的垂直集成谐振隧穿二极管
作者:
Park B.G.
;
Wolak E.
;
Lear K.L.
;
Harris J.S. Jr.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1989. IEDM '89. Technical Digest., International》
|
1989年
29.
In-situ doped polysilicon using vapor dopant for high density DRAMs
机译:
使用气相掺杂剂的高密度DRAM原位掺杂多晶硅
作者:
Tang T.E.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1989. IEDM '89. Technical Digest., International》
|
1989年
30.
Integrated microphone with CMOS circuits on a single chip
机译:
在单个芯片上具有CMOS电路的集成麦克风
作者:
Kim E.S.
;
Muller R.S.
;
Gray P.R.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1989. IEDM '89. Technical Digest., International》
|
1989年
31.
Large-signal resonant tunneling diode model for SPICE3 simulation
机译:
用于SPICE3仿真的大信号谐振隧穿二极管模型
作者:
Kuo T.-H.
;
Lin H.C.
;
Anandakrishnan U.
;
Potter R.C.
;
Shupe D.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1989. IEDM '89. Technical Digest., International》
|
1989年
32.
Lateral miniaturized vacuum devices
机译:
横向微型真空装置
作者:
Busta H.H.
;
Pogemiller J.E.
;
Roth M.F.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1989. IEDM '89. Technical Digest., International》
|
1989年
33.
Lateral mode controlled wide stripe SBA lasers by modal reflector
机译:
模态反射器的横向模式控制宽带SBA激光器
作者:
Nagai Y.
;
Shigihara K.
;
Kokubo Y.
;
Matsubara H.
;
Kumabe H.
;
Ikeda K.
;
Susaki W.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1989. IEDM '89. Technical Digest., International》
|
1989年
34.
Local processing of sensor array data using current mode circuitry
机译:
使用电流模式电路本地处理传感器阵列数据
作者:
Clark J.J.
;
Friedman D.J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1989. IEDM '89. Technical Digest., International》
|
1989年
35.
Low velocity spread axis encircling electron beam forming system
机译:
低速扩展轴环绕电子束形成系统
作者:
Scheitrum G.P.
;
Symons R.S.
;
True R.B.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1989. IEDM '89. Technical Digest., International》
|
1989年
36.
Monte-Carlo modeling of ion implantation for silicon devices
机译:
硅器件离子注入的蒙特卡洛建模
作者:
Srinivasan G.R.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1989. IEDM '89. Technical Digest., International》
|
1989年
37.
MOS trench gate field-controlled thyristor
机译:
MOS沟槽栅场控晶闸管
作者:
Change H.
;
Holroyd F.W.
;
Baliga B.J.
;
Kretchmer J.W.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1989. IEDM '89. Technical Digest., International》
|
1989年
38.
New devices using ferroelectric thin films
机译:
使用铁电薄膜的新设备
作者:
Land C.E.
;
Butler M.A.
;
Martin S.J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1989. IEDM '89. Technical Digest., International》
|
1989年
39.
New low noise output amplifier for high definition CCD image sensor
机译:
用于高清CCD图像传感器的新型低噪声输出放大器
作者:
Mutoh N.
;
Morimoto M.
;
Nishimura M.
;
Teranishi N.
;
Oda E.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1989. IEDM '89. Technical Digest., International》
|
1989年
40.
2.5-dimensional large-signal traveling-wave tube
机译:
2.5维大信号行波管
作者:
Goren Y.
;
Nettesheim E.A.
;
Lally P.M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1989. IEDM '89. Technical Digest., International》
|
1989年
41.
29 ps ECL circuits using U-groove isolated SICOS technology
机译:
采用U形隔离SICOS技术的29 ps ECL电路
作者:
Shiba T.
;
Tamaki Y.
;
Ogiwara I.
;
Kure T.
;
Kobayashi T.
;
Yagi K.
;
Tanabe M.
;
Nakamura T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1989. IEDM '89. Technical Digest., International》
|
1989年
42.
A 3-D fluid simulation of a dry-etching aluminium hexode reactor
机译:
干蚀刻铝六面体反应器的3-D流体模拟
作者:
Ulacia F J.I.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1989. IEDM '89. Technical Digest., International》
|
1989年
43.
A GaAs Bi-FET technology for large scale integration
机译:
用于大规模集成的GaAs Bi-FET技术
作者:
Itakura K.
;
Shimamoto Y.
;
Ueda T.
;
Katsu S.
;
Ueda D.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1989. IEDM '89. Technical Digest., International》
|
1989年
44.
A high performance CMOS process for submicron 16 Mb EPROM
机译:
亚微米16 Mb EPROM的高性能CMOS工艺
作者:
Bergemont A.
;
Deleonibus S.
;
Guegan G.
;
Guillaumot B.
;
Laurens M.
;
Martin F.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1989. IEDM '89. Technical Digest., International》
|
1989年
45.
A high-performance sub-half micron CMOS technology for fast SRAMs
机译:
高性能半半微米CMOS技术用于快速SRAM
作者:
Hayden J.
;
Baker F.
;
Ernst S.
;
Jones B.
;
Klein J.
;
Lien M.
;
McNelly T.
;
Mele T.
;
Mendez H.
;
Nguyen B.Y.
;
Parrillo L.
;
Paulson W.
;
Pfiester J.
;
Pintchovski F.
;
See Y.
;
Sivan R.
;
Somero B.
;
Travis E.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1989. IEDM '89. Technical Digest., International》
|
1989年
46.
A low-noise and wide-bandwidth InGaAs/InAlAs superlattice APD
机译:
低噪声和宽带InGaAs / InAlAs超晶格APD
作者:
Kagawa T.
;
Kawamura Y.
;
Asai H.
;
Naganuma M.
;
Mikami O.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1989. IEDM '89. Technical Digest., International》
|
1989年
47.
A monolithic RMS-DC converter using planar diaphragm structures
机译:
使用平面膜片结构的单片RMS-DC转换器
作者:
Yoon E.
;
Wise K.D.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1989. IEDM '89. Technical Digest., International》
|
1989年
48.
A new approach to Monte Carlo simulation
机译:
蒙特卡洛模拟的新方法
作者:
Jacoboni C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1989. IEDM '89. Technical Digest., International》
|
1989年
49.
A new self-aligned field oxide cell for multimegabit EPROMs
机译:
一种用于多兆位EPROM的新型自对准场氧化物单元
作者:
Bellezza O.
;
Laurenzi D.
;
Melanotte M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1989. IEDM '89. Technical Digest., International》
|
1989年
50.
A quantum-switched heterojunction bistable bipolar transistor
机译:
量子开关异质结双稳态双极晶体管
作者:
Wu M.C.
;
Yang L.
;
Tsang W.T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1989. IEDM '89. Technical Digest., International》
|
1989年
51.
A spread stacked capacitor (SSC) cell for 64 Mbit DRAMs
机译:
用于64 Mbit DRAM的扩展堆叠电容器(SSC)单元
作者:
Inoue S.
;
Hieda K.
;
Nitayama A.
;
Horiguchi F.
;
Masuoka F.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1989. IEDM '89. Technical Digest., International》
|
1989年
52.
A surrounding gate transistor (SGT) cell for 64/256 Mbit DRAMs
机译:
用于64/256 Mbit DRAM的周围栅极晶体管(SGT)单元
作者:
Sunouchi K.
;
Takato H.
;
Okabe N.
;
Yamada T.
;
Ozaki T.
;
Inoue S.
;
Hashimoto K.
;
Hieda K.
;
Nitayama A.
;
Horiguchi F.
;
Masuoka F.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1989. IEDM '89. Technical Digest., International》
|
1989年
53.
Performance and hot-carrier reliability of deep-submicrometer CMOS
机译:
深亚微米CMOS的性能和热载流子可靠性
作者:
Chan T.Y.
;
Gaw H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1989. IEDM '89. Technical Digest., International》
|
1989年
54.
Photon transport transistor
机译:
光子传输晶体管
作者:
Van Zeghbroeck B.J.
;
Harder C.
;
Meier H.P.
;
Walter W.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1989. IEDM '89. Technical Digest., International》
|
1989年
55.
Polytype heterostructures for electron tunneling devices
机译:
电子隧穿器件的多型异质结构
作者:
Beresford R.
;
Luo L.F.
;
Longenbach K.
;
Wang W.I.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1989. IEDM '89. Technical Digest., International》
|
1989年
56.
Proposal of self-scanning light emitting device (SLED)
机译:
自扫描发光器件(SLED)的建议
作者:
Kusuda Y.
;
Tone K.
;
Tanaka S.
;
Yamashita K.
;
Nagata H.
;
Komaba N.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1989. IEDM '89. Technical Digest., International》
|
1989年
57.
Research on pulsed high power microwave generation in the 1980s
机译:
1980年代脉冲大功率微波产生的研究
作者:
Granatstein V.L.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1989. IEDM '89. Technical Digest., International》
|
1989年
58.
Scalability of a trench capacitor cell for 64 Mbit DRAM
机译:
用于64 Mbit DRAM的沟槽电容器单元的可扩展性
作者:
Shen B.W.
;
Chung G.
;
Chen I.C.
;
Coleman D.J. Jr.
;
Ying P.S.
;
McKee R.
;
Yashiro M.
;
Teng C.W.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1989. IEDM '89. Technical Digest., International》
|
1989年
59.
Scaling of BiCMOS digital circuit structures
机译:
BiCMOS数字电路结构的缩放
作者:
Bellaouar A.
;
Embabi S.K.H.
;
Elmasry M.I.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1989. IEDM '89. Technical Digest., International》
|
1989年
60.
Scaling rules for bipolar transistors in BiCMOS circuits
机译:
BiCMOS电路中双极晶体管的缩放规则
作者:
Rosseel G.P.
;
Dutton R.W.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1989. IEDM '89. Technical Digest., International》
|
1989年
61.
Scanning tunneling microscopy on cleaved silicon pn junctions
机译:
裂解硅pn结的扫描隧道显微镜
作者:
Kordic S.
;
van Loenen E.J.
;
Dijkkamp D.
;
Hoeven A.J.
;
Moraal H.K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1989. IEDM '89. Technical Digest., International》
|
1989年
62.
Secondary electron emission
机译:
二次电子发射
作者:
Shroff A.M.
;
Tonnerre J.C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1989. IEDM '89. Technical Digest., International》
|
1989年
63.
Self-aligned bipolar npn transistor with 60 nm epitaxial base
机译:
具有60 nm外延基极的自对准双极npn晶体管
作者:
Burghartz J.N.
;
Mader S.R.
;
Meyerson B.S.
;
Ginsberg B.J.
;
Stork J.M.
;
Stanis C.
;
Sun J.Y.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1989. IEDM '89. Technical Digest., International》
|
1989年
64.
SiGe resonant tunneling hot carrier transistor
机译:
SiGe共振隧穿热载流子晶体管
作者:
Rhee S.S.
;
Chang G.K.
;
Carns T.K.
;
Wang K.L.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1989. IEDM '89. Technical Digest., International》
|
1989年
65.
Simulation of rod charging in TWT helix structures
机译:
TWT螺旋结构中棒料装填的模拟
作者:
Dallos A.
;
Smith B.H.
;
Bowness C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1989. IEDM '89. Technical Digest., International》
|
1989年
66.
Three dimensional ICs, having four stacked active device layers
机译:
具有四个堆叠的有源器件层的三维IC
作者:
Kunio T.
;
Oyama K.
;
Hayashi Y.
;
Morimoto M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1989. IEDM '89. Technical Digest., International》
|
1989年
67.
Towards VLSI GaAs heterostructure FET integrated circuits
机译:
面向VLSI GaAs异质结构FET集成电路
作者:
Akinwande A.I.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1989. IEDM '89. Technical Digest., International》
|
1989年
68.
Two-dimensional simulator for semiconductor lasers
机译:
半导体激光器的二维模拟器
作者:
Song G.H.
;
Hess K.
;
Kerkhoven T.
;
Ravaioli U.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1989. IEDM '89. Technical Digest., International》
|
1989年
69.
Ultra-high speed CMOS circuits in thin SIMOX films
机译:
SIMOX薄膜中的超高速CMOS电路
作者:
Kamgar A.
;
Hillenius S.J.
;
Cong H.-I.
;
Field R.L.
;
Lindenberger W.S.
;
Celler G.K.
;
Trimble L.E.
;
Sturm J.C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1989. IEDM '89. Technical Digest., International》
|
1989年
70.
Vacuum-sealed silicon micromachined incandescent light source
机译:
真空密封硅微机械白炽灯光源
作者:
Mastrangelo C.H.
;
Muller R.S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1989. IEDM '89. Technical Digest., International》
|
1989年
71.
Vertical scaling of ultra-high-speed AlInAs-GaInAs HEMTs
机译:
超高速AlInAs-GaInAs HEMT的垂直缩放
作者:
Nguyen L.
;
Brown A.
;
Delaney M.
;
Mishra U.
;
Larson L.
;
Jelloian L.
;
Melendes M.
;
Hooper C.
;
Thompson M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1989. IEDM '89. Technical Digest., International》
|
1989年
72.
Microsensors vs. integrated circuits: a study in contrasts
机译:
微传感器与集成电路的对比研究
作者:
Senturia S.D.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1989. IEDM '89. Technical Digest., International》
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1989年
73.
Vacuum microelectronics
机译:
真空微电子
作者:
Greene R.F.
;
Gray H.
;
Spindt C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1989. IEDM '89. Technical Digest., International》
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1989年
74.
VLSI applications in implantable medical electronics
机译:
VLSI在植入式医疗电子产品中的应用
作者:
Stotts L.J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1989. IEDM '89. Technical Digest., International》
|
1989年
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