Anodes; Metals; Logic gates; Electric fields; Power electronics; Europe; Performance evaluation;
机译:低于10 nm的二维基于金属氧化物半导体场效应晶体管的性能下降的起因:一项第一性原理研究
机译:使用多晶电容器和金属氧化物半导体场效应晶体管的带中间电极的铁电栅场效应晶体管存储器的操作
机译:使用栅极/主体P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管型光电探测器的互补金属氧化物半导体图像传感器,用于高速二进制操作
机译:金属 - 硅纳米线接触对积累金属氧化物半导体场效应晶体管性能的影响
机译:碳化硅结场效应晶体管和金属氧化物半导体场效应晶体管的特性。
机译:高性能热氧化金属氧化物场效应晶体管的喷雾热解透明ZnO薄膜沉积
机译:低于10nm的二维基于金属氧化物半导体场效应晶体管的性能退化的起因:一项第一性原理研究