机译:低于10nm的二维基于金属氧化物半导体场效应晶体管的性能退化的起因:一项第一性原理研究
机译:低于10 nm的二维基于金属氧化物半导体场效应晶体管的性能下降的起因:一项第一性原理研究
机译:低于30nm通道的高性能Si线栅全能金属氧化物半导体场效应晶体管的设计可行性
机译:新型夹层欧姆接触的亚二维小于10 nm节点的高性能二维InSe场效应晶体管:理论研究
机译:低于10 nm的单层过渡金属二卤化二通道隧道场效应晶体管的性能如何?从头算起的仿真研究
机译:氮化铝镓/氮化镓异质结构场效应晶体管的制备,性能和降解机理。
机译:新型夹层欧姆接触的亚二维小于10 nm节点的高性能二维InSe场效应晶体管:理论研究
机译:低于10nm的二维基于金属氧化物半导体场效应晶体管的性能退化的起因:一项第一性原理研究