Driving circuit; Gate resistance; Power MOSFET; Drain-source voltage; Imbalance;
机译:堆叠式反激转换器允许较低电压MOSFET用于高AC线电压工作
机译:零电压开关二开关CCM反激转换器的分析,设计与实现
机译:背栅电压和掩埋氧化物的厚度对77 K下完全耗尽的SOI MOSFET的串联电阻有影响
机译:具有输入电压范围扩展电路的准谐振两开关反激转换器
机译:硬开关和软开关两开关反激式PWM DC-DC转换器以及高频变压器中由于谐波引起的绕组损耗。
机译:在监控电缆产品的绝缘电阻时电阻 - 电压转换器的快速响应时间增加
机译:DCM前向反激式转换器具有CockCroft-Walton电压倍增器:稳态分析考虑寄生电容在非常低的功率和非常高的电压增益中的影响
机译:多晶硅栅极对具有薄栅氧化层的亚100nm mOsFET中随机掺杂诱导阈值电压波动的影响