Impedance; Electrodes; Acoustics; Transducers; Cavity resonators; Transfer functions; Force;
机译:Leti-UTSOI2.1:UTBB-FDSOI技术的紧凑模型—第一部分:接口电位分析模型
机译:具有界面俘获电荷的二元金属合金无硅(BMASON)隧道FET的紧凑分析模型
机译:具有接口陷阱电荷的包围栅MOSFET的紧凑型分析阈值电压模型
机译:PMUT界面的分析紧凑模型
机译:深亚微米CMOS的分析和紧凑型号(BSIM3V3)
机译:解析费森中具有系数的紧致解析品种的同构群。
机译:使用ADEREM(AB-INITIO界面缺陷检测分析透射电子显微镜的SI / SIO2接口的原型模型