II-VI semiconductor materials; Quantum dots; Photonic band gap; Cadmium compounds; Heterojunctions; Photonics;
机译:基于带隙工程HgCdTe的
机译:带隙工程HgCdTePBπn长波长红外探测器
机译:工程单极基于HgCdTe的nBn红外光电探测器的带隙
机译:带隙工程的HGCDTE纳米晶体杂连接红外传感器
机译:带隙工程设计的碲化汞镉红外探测器结构,降低了冷却需求。
机译:石墨烯能否制造出更好的HgCdTe红外探测器?
机译:工程单极基于HgCdTe的nBn红外光电探测器的带隙
机译:用于HgCdTe红外探测器的硅基大面积衬底