首页> 外文会议>IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference >A New Multi-Stimuli-Based Simulation Method for ESD Design Verification
【24h】

A New Multi-Stimuli-Based Simulation Method for ESD Design Verification

机译:一种用于ESD设计验证的新型多刺激性仿真方法

获取原文

摘要

This paper analyzes TCAD ESD simulation for both HBM zapping using real-world HBM ESD waveforms as stimuli and TLP testing using square wave TLP pulse trains as stimuli. It concludes that TCAD ESD simulation using either HBM waveforms or TLP pulse trains, alone, is insufficient. We introduce a new mixed-mode simulation flow using combined HBM and TLP stimuli to achieve ESD design prediction, which was validated in 28nm bulk CMOS and 45nm SOI CMOS.
机译:本文通过使用方波TLP脉冲列车作为刺激和TLP测试,分析了HBM ZPPAPPPAP的TCAD ESD仿真作为刺激和TLP测试作为刺激。 得出结论,使用HBM波形或TLP脉冲列车的TCAD ESD模拟单独,不足。 我们使用组合HBM和TLP刺激引入新的混合模式仿真流,以实现ESD设计预测,该预测在28nm散装CMOS和45nm SOI CMOS中验证。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号