Molybdenum; Sulfur; Capacitance-voltage characteristics; Silicon; Capacitors; Voltage measurement; Mobile communication;
机译:单和双SiN_x中间层对通过有机金属气相外延生长的GaN覆盖层中的缺陷减少的功效
机译:CVD在Si(111)基板上的催化剂Flow GaMBERS上的CVD种植少数层MOS2的结构和振动性能
机译:通过气相外延对INP基质生长的增强层厚度的组成均匀性研究
机译:层状气相生长MOS2中的缺陷
机译:单层MoS2中的筛选,缺陷和悬空键引起的光学损伤阈值
机译:卤化物气相外延在锥形截肢型蓝宝石衬底上生长的α-GA2O3癫痫脱位的减少
机译:通过气相硫化在纳米电子中潜在应用的层状MOS2中的介电性能和离子传输