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A class-J power amplifier for 5G applications in 28nm CMOS FD-SOI technology

机译:用于28nm CMOS FD-SOI技术的5G应用的J类功率放大器

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摘要

In this work1 we present the design of a fully integrated wideband high efficiency power amplifier for 5G applications. The amplifier consists of two single ended common source stages, with a class-J power stage in the 28nm CMOS FD-SOI technology. Post-layout simulation results show a broadband behavior of the amplifier over 12 GHz of bandwidth with a saturated power of 16.2 dBm and a peak power added efficiency of 39 % at 28 GHz.
机译:在本文的 1 中,我们介绍了面向5G应用的完全集成的宽带高效功率放大器的设计。该放大器包括两个单端公共源级,以及采用28nm CMOS FD-SOI技术的J类功率级。布局后的仿真结果表明,该放大器在12 GHz带宽上具有宽带性能,饱和功率为16.2 dBm,在28 GHz时的峰值功率附加效率为39%。

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