Phase noise; Voltage-controlled oscillators; Transistors; Sensitivity; Power demand; CMOS technology;
机译:使用新型尾电流噪声二次谐波滤波技术降低CMOS LC交叉耦合振荡器的相位噪声
机译:采用对称尾电流整形技术的低相位噪声正交VCO
机译:利用相位调制和脉冲注入技术的低相位噪声CMOS环形振荡器
机译:具有无线植入SOC应用中的尾流型技术的低相CMOS振荡器
机译:低功耗低噪声CMOS放大器的一些设计技术,具有针对GHz频率无线应用的噪声优化。
机译:28 nm CMOS LC振荡器电路拓扑中的相位噪声的比较分析:HartleyColpitts和共源交叉耦合差分对
机译:设计3.1-6.0 GHz CMOS超宽带低噪声放大器,用于无线应用前体偏置技术