Transistors; Aging; Degradation; SRAM cells; Threshold voltage; Memory management;
机译:具有嵌入式电源分配功能的SRAM可改善高级技术节点中的写入裕量和性能
机译:接近阈值的7T SRAM单元,具有亚20纳米FinFET技术的高读写容限和低写入时间
机译:利用写噪声容限的正态分布轻松预测SRAM的写良率
机译:在线写裕量估计器,用于监视SRAM内核的性能下降
机译:基于系统识别的电力系统在线监测和振荡稳定性裕量预测。
机译:基于人工神经网络的感应电动机驱动器在线速度和转子电阻估算器提高了无传感器FOC性能
机译:10T SRAM细胞的设计改进的读取性能和扩展写余量