Annealing; Epitaxial growth; Glass; III-V semiconductor materials; Indexes; Indium phosphide; Substrates; Flexible Electronics; InP; Substrate Reuse; Wafer Bonding;
机译:将1.55μmInGaAsP / InP激光器掩埋在半绝缘InP衬底上的高电阻外延层中
机译:多孔衬底上外延InP层的结构和电学特性以及相关的Au-Ti肖特基势垒参数
机译:热壁外延在InP衬底上外延生长Bi_2Se_3层
机译:通过电化学蚀刻/退火的多孔掩埋INP层的外延生长和INP的层转印:III的途径V衬底重新使用
机译:电化学蚀刻锗和砷化镓形成的多孔层,用于高能效多结太阳能电池的分裂工程层转移(CELT)应用。
机译:缓冲剂类型对InP(100)衬底上生长的In0.82Ga0.18As外延层的影响
机译:通过液相外延将InP / IngaASP异质结构的外延层生长在异形的INP表面上
机译:熔盐电解法制备Inp及相关III-V单晶和外延层的制备与表征。