Chemistry; Etching; III-V semiconductor materials; Indium gallium arsenide; Indium phosphide; Photovoltaic cells; III???V semiconductor materials; fabrication; indium phosphide;
机译:用于InP HEMT的新型高均匀性,高可再现性,非选择性湿法数字栅极凹槽蚀刻工艺
机译:在InP(001)衬底上具有1.0 eV带隙的MBE生长的InGaAsP太阳能电池,用于多结太阳能电池
机译:MOVPE生长的InP-GaInAs-InP双异质结构在红外太阳能电池中的界面分析
机译:用于Inxal1的湿蚀刻处理的开发??? Xasysb1 ???在INP上生长的太阳能电池
机译:基于外延生长吸收剂的高性能转移薄膜太阳能电池的系统化工艺开发
机译:通过NixSy自生上层结构电分解水通过湿法化学硫化工艺获得
机译:采用湿蚀刻氢钝化Inp HEmT器件的低噪声低温X波段放大器
机译:mOCVD生长的n()p Inp太阳能电池的温度系数和辐射诱导的DLTs光谱